: Rasende Elektronen
■ Wissenschaftler bringen kleine Teilchen auf Touren
Jülich (dpa/taz) —Wissenschaftlern im Forschungszentrum Jülich ist es gelungen, das „Flugtempo“ der Elektronen in Schaltkreisen um das Zehnfache auf rund 400 Kilometer pro Sekunde zu erhöhen. Diese extrem hohe Geschwindigkeit stellte sich durch neuartige Halbleiter- Schichten aus Indiumphosphid/Gallium-Indiumarsenid ein. Höhere Werte seien, wie die Jülicher berichten, nur einmal französischen Experten gelungen, aber nicht wiederholbar gewesen. Demgegenüber könnten die Forscher des Jülicher Instituts für Schicht- und Ionentechnik das „Rezept“ angeben, nach dem die hohe Geschwindigkeit erreicht wird.
Die Schnelligkeit der negativ geladenen Elementarteilchen ist für elektronische Schaltungen bei tieferen Temperaturen, so auch für Hochtemperatur-Supraleiter, von Interesse. Aber auch für normale, bei Zimmertemperatur arbeitende Schaltkreise aus Halbleitermaterial könnten die rasenden Elektronen von Bedeutung sein.
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